Превышение максимально допустимых параметров электронного прибора приводит к нарушению его нормальной работы и очень часто сопровождается выходом прибора из строя.

Основными максимально допустимыми параметрами являются: Р_Кмакс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеиваемая коллекторным переходом; U_КБмакс - максимально допустимое обратное напряжение между коллектором и базой транзистора; U_КЭмакс - максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером; U_ЭБмакс - максимально допустимое обратное напряжение на эмиттерном переходе; I_Кмакс - максимально допустимый постоянный ток коллектора.

Максимально допустимые параметры транзисторов определяются теми же факторами, что и у полупроводниковых диодов. Максимально допустимые напряжения ограничиваются пробивными напряжениями соответствующих переходов, максимально допустимые мощности и ток ограничиваются максимальной температурой перехода и тепловым пробоем. Максимально допустимая мощность транзистора определяется в основном мощностью коллекторного перехода Р_Кмакс, так как мощность, выделяющаяся в эмиттерном переходе, относительно мала. Величина Р_Кмакс рассчитывается по формулам (2-19) или (2-20) как максимально допустимая мощность полупроводникового диода.

1 2 3