На рис. 3-5, а показан бездрейфовый транзистор типа р-n-р с подключенными источниками питания по схеме с ОБ, а на рис. 3-5, б приведено распределение потенциала вдоль структуры транзистора при заземленной базе (штрихпунктирной линией - без питающих   напряжений,   сплошной - с источниками).

Следует обратить внимание на то, что образование эмиттерного и коллекторного переходов приводит к некоторому уменьшению толщины базы по сравнению с расстоянием между металлургическими границами переходов.

При подключении обратного коллекторного напряжения происходит увеличение потенциального барьера и толщины коллекторного перехода, который увеличивается в основном за счет области базы. В коллекторной цепи (при отсутствии тока эмиттера, т.е. при I_э=0) появляется слабый ток обратно включенного р-n перехода. Этот ток называют обратным током коллектора. Он в основном определяется концентрацией неосновных носителей (дырок) в базе, так как при р_к>р_б, концентрация неосновных носителей в коллекторе оказывается пренебрежимо малой. Ток I_КБО измеряют при обратном включении коллекторного перехода и разомкнутой цепи эмиттера.

1 2 3 4 5 6