В усилительных и импульсных устройствах наиболее часто транзистор используется в схеме с ОЭ. В этой схеме входным током является ток базы, а выходным - ток коллектора. Напряжения на базе U_БЭ и коллекторе U_КЭ отсчитываются относительно общего электрода - эмиттера. На рис. 3-17,б показана простейшая схема усилителя напряжения на транзисторе, включенном по схеме с ОЭ, а на рис. 3-20, а приведена динамическая коллекторная характеристика, нанесенная на график совместно с его семейством статических выходных характеристик. В качестве примера использован транзистор МП41А. Крупный масштаб характеристик не позволяет выделить на данном рисунке область отсечки II, которая, как и в схеме с ОБ, определяется обратным (неуправляемым) током коллектора I_КБО.

На рис. 3-20,б и 3-21, а показана динамическая входная характеристика транзистора в схеме с ОЭ или динамическая базовая характеристика, которая в усилительном режиме и в режиме отсечки практически совпадает со статической базовой характеристикой, снятой при U_КЭ=-5 В.

1 2