Устройство биполярных транзисторов
Биполярные транзисторы представляют собой трехслойную полупроводниковую структуру с чередующимся типом проводимости областей, созданную в едином кристалле и образующую два электрически взаимодействующих электронно-дырочных перехода (рис. 3-1,а). Термин «транзистор» происходит от комбинации английских слов transfer of resistor, что в переводе означает «преобразователь сопротивления». Термин «биполярный» означает, что в этом транзисторе используются подвижные носители электрических зарядов обоих знаков - электроны и дырки. В данной главе рассматриваются только биполярные транзисторы, поэтому для краткости изложения слово «биполярный» везде опущено. В монокристалле транзистора можно выделить три области: эмиттерную, базовую и коллекторную, снабженные соответствующими вводами. Переход, который образуется на границе областей эмиттер - база, называется эмиттерным. Через него осуществляется инжекция носителей из области эмиттера в базу. Переход, образующийся на границе база - коллектор, называется коллекторным. Он собирает (экстрагирует) инжектированные в базу носители и передает их в коллекторную область. Отсюда и происходит название «коллектор», что означает «собиратель».





