На рис. 3-6 показана типичная зависимость А=φ(I_Э) при U_КБ=const. При очень малых прямых токах эмиттера, например при токе I_э1 (кривая I на рис. 3-5, в), коэффициент А оказывается много меньше единицы. Это объясняется следующим образом. При малом токе диффузии концентрация инжектируемых дырок сравнима с концентрацией свободных рекомбинационных ловушек, относительная потеря дырок вследствие рекомбинации в областях перехода и базы велика, что вызывает снижение коэффициента инжекции γ и коэффициента переноса в базе δ. Когда ток I_Э, а следовательно, и концентрация неравновесных дырок оказываются большими все рекомбинационные центры «заняты» и относительная потеря дырок невелика. Следовательно, малый ток I_э в основном состоит из рекомбинационной составляющей и замыкается через базовый вывод, не создавая коллекторного тока, т.е. I_К≈0.   Наиболее  сильно  это проявляется в кремниевых транзисторах, у которых база дополнительно легирована золотом.

Для случаев I_Э2 и I_Э3 (кривые 2 и 3 на рис. 3-5, в) создаются оптимальные условия для инжекции и переноса дырок через базу, при этих токах I_Кр≈I_Э, т.е. А≈1.

1 2 3 4