БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Импульсные (ключевые) свойства транзистора
Работа транзистора при усилении импульсных сигналов принципиально не отличается от его работы при усилении гармонических или сложных периодических сигналов. Read the rest of this entry »
Определение h-параметров по статическим характеристикам
Воспользуемся наиболее распространенной схемой транзистора с ОЭ и определим h-параметры по его статическим характеристикам (рис. 3-28,а,б). Read the rest of this entry »
Системы дифференциальных параметров транзисторов
Недостаток физических параметров заключается в том, что их невозможно непосредственно измерить. В основу расчета физических (внутренних) параметров можно положить результаты измерений внешних параметров, соответствующих той или иной конкретной схеме включения транзистора, представленной в виде активного линейного четырехполюсника (рис. 3-27, а). Read the rest of this entry »
Эквивалентная схема транзистора по переменному току
При анализе и инженерном расчете транзисторных устройств транзистор удобно представить в виде эквивалентной схемы только для переменных составляющих токов и напряжений. Read the rest of this entry »
Инерционность диффузионного процесса в транзисторе
С увеличением частоты усилительные свойства транзистора ухудшаются. Это происходит в первую очередь из-за инерционности диффузионного процесса, обусловливающего движение дырок через базу к коллектору. Read the rest of this entry »