Электростатическая (холодная) эмиссия. Эту эмиссию создает сильное ускоряющее электрическое поле, которое своим действием возле поверхности вещества уменьшает толщину потенциального барьера выхода настолько, что обеспечивает в металле электронам, достигшим уровня W_F условия для их туннельных, переходов непосредственно сквозь сузившийся потенциальный барьер (рис. 1-13, б). Эти переходы оказываются возможными из-за волновых свойств электронов. Вероятность прохождения электрона, обладающего волновыми свойствами, через туннель увеличивается с уменьшением, толщины и высоты энергетического (потенциального) барьера.

Зависимость плотности тока электростатической, эмиссии от напряженности электрического поля возле поверхности металла (для Т = 0 К), по форме соответствует уравнению (1-25), в котором вместо температуры Т стоит напряженность, электрического поля. Е:

j_э.э = I_э.э/s = аE²exp[— b/Е], (1 -26)

1 2