Фотоэлектронная эмиссия
Сначала с укорочением длины волны (с увеличением ε), все большая и большая часть электронов проводимости после «поглощения» квантов может эмиттироваться, поэтому фототок увеличивается. Затем при дальнейшем увеличении энергии квантов (жестких рентгеновских лучей) взаимодействие квантов с электронами происходит на все большей глубине внутри вещества, что затрудняет фотоэлектронную эмиссию и приводит к убыванию фототока. Кривая 2 представляет характеристику избирательного фотоэффекта.
(рис.1-19) Примерная спектральная характеристика фотоэлектронной эмиссии.
Наличие нескольких максимумов и минимумов объясняется различной интенсивностью отражения поверхностью и поглощения электронами проводимости и атомами кристаллической решетки квантов различных длин волн.
Ток фотоэлектронной эмиссии прямо пропорционален световому потоку (закон Столетова):
Iф = kфФ, (1-29)
где Ф — световой поток, лм; kф— коэффициент пропорциональности, мкА/лм. Этот вид эмиссии используется в фотоэлементах и фотоэлектронных умножителях.
1 2





