(рис. 12-12) Условное (графическое) изображение оптронов: а — диодного; б — резисторного; в — транзисторного; г — тиристорного

На рис. 12-13 показана типичная передаточная характеристика диодного оптрона, представляющая зависимость выходного фототока I_вых от входного тока излучателя I_вх.

(рис. 12-13) Передаточная характеристика диодного оптрона

Важными параметрами оптронов являются: сопротивление гальванической развязки, проходная емкость, время включения t_вкл и время выключения t_выкл.

Транзисторные оптроны имеют сравнительно высокое значение коэффициента передачи тока K_i = I_вых/I_вх — порядка 0,5, оптроны с составным фототранзистором — примерно 8. Быстродействие транзисторных оптронов, определяемое временем t_вкл и t_выкл, составляет (2-5) · 10^-5 с. Специальные диодные оптроны обладают большим быстродействием по сравнению с транзисторными (порядка 10^-8 с), но малым коэффициентом передачи K_i = 0,01.

В настоящее время разрабатывается много разновидностей оптронов со всеми известными типами фотоприемников. Кроме того, оптроны нашли применение в интегральных микросхемах. Вообще оптроны обладают очень широкими функциональными возможностями, так как являются аналогами многих элементов электрических и радиотехнических устройств.

1 2 3 4 5