Работа с приставкой. Проверяемый элемент всегда подключают к зажимам X и М. Вертикальная линия на экране (рис. 3.14) свидетельствует о коротком замыкании, горизонтальная - об обрыве в цепи или элементе. Расскажем, что можно увидеть на экране осциллографа при исследовании следующих элементов:

(рис.3.14)  Осциллограммы получаемые при проверке элементов

Полупроводниковые диоды.
Полярность включения и вид кривых на экране показаны на рис. 3.14, а, б. При обратном включении диода получается кривая, изображенная на рис. 3.14, в (кривая 2). Так можно определить выводы анода и катода диодов, у которых стерта маркировка.

Стабилитроны
Если напряжение стабилизации стабилитрона меньше 10 В, на горизонтальной линии появится излом (рис. 3.14, г). Расстояние от излома до вертикальной линии будет соответствовать напряжению стабилизации.

Селеновые выпрямители.
Если элемент исправный, то луч на экране будет вычерчивать горизонтальную линию, которая плавно переходит в вертикальную (рис. 3.14, о).
У неисправного элемента вертикальная часть осциллограммы будет очень короткой или с большим наклоном. Такая кривая говорит о большом падении напряжения на вентиле при прохождении тока в прямом направлении. Падение напряжения на селеновых выпрямителях намного больше, чем на германиевых или кремниевых.

Туннельные диоды.
Способ включения показан на рис. 3.14, г. Характеристика исправного диода изображена на рис. 3.14, е (кривая 1). Иногда, увеличивая усиление по горизонтали, удается получить картину, показанную на рис. 3.14, е (кривая 2), которая представляет собой типичную характеристику туннельного диода. Перед проверкой других деталей не забудьте ручку «Усиление по горизонтали» перевести в положение, найденное во время калибровки.

Управляемые вентили (тиристоры)(рис. 3.14, ж).
Вид вольт-амперной характеристики для исправного элемента (с отключенным управляющим выводом - УЭ) показан на рис. 3,14, ж, 1. Когда управляющий электрод соединяют с зажимом М, тиристор открывается и луч рисует на экране кривую, похожую на характеристику обычного диода, включенного в проводящем направлении (рис. 3.14, ж, 2).

Транзисторы.
Как их подключать к приставке, показано на рис. 3.14, з. Если выводы эмиттера и коллектора поменять местами, рисунок на экране не изменится (база остается не подключенной). Луч на экране прочертит горизонтальную линию, она может быть слегка изогнута. Затем присоединяют базу к зажиму М и получают характеристику, изображенную на рис. 3.14, з (1 - для транзистора р-п-р, 2 - для п-р-п). Это еще один способ определения выводов электродов неизвестных транзисторов. Переключив вывод базы на зажим X, увидим, что первая осциллограмма на рис. 3.14,з будет соответствовать транзистору п-р-п, а вторая - р-п-р.
Если при испытаниях транзистора на экране не появится характеристика в виде буквы L, это значит, что в цепи электродов транзистора имеется обрыв. Когда один из отрезков осциллограммы (буквы L) изогнут, это означает, что неисправен один из р-п переходов транзистора. Изгиб вертикальной линии свидетельствует о большом сопротивлении в прямом направлении, наклон горизонтальной линии - о малом обратном сопротивлении р-п перехода (большой обратный ток коллектора). Обычно у мощных транзисторов (даже у самых лучших) всегда наблюдается большой обратный ток коллектора. Поэтому сначала надо испытать несколько исправных мощных транзисторов и затем уже по ним, как по эталонам, проверять другие. Явления, указывающие на короткое замыкание или обрыв в транзисторе, одинаковы для всех транзисторов.

Однопереходные транзисторы.
Схема включения показана на рис. 3.14, к. Сначала следует провести измерение с отключенным эмиттером. На экране осциллографа должна появиться прямая линия с наклоном 30° по отношению к горизонтальной оси (рис. 3.14, к, 1). Затем соединяют эмиттер с зажимом М, при этом часть прямой на экране должна изогнуться вверх (рис. 3.14, к, 2). Если эмиттер подключить к зажиму X (к базе транзистора), вертикальным станет нижний конец прямой (рис. 3.14, к, 3).

Резисторы (постоянные и переменные).
Измеряя транспортиром угол наклона прямой на экране относительно горизонтали, можно приблизительно определить величины сопротивлений различных резисторов. Для этого следует использовать схему рис. 3.14, л и график, изображенный на рис, 3.15.

(рис.3.15) График для определения сопротивления постоянных и переменных резисторов.

Для резисторов с сопротивлением до 100 Ом луч на экране будет вычерчивать вертикальную ось, свыше 100 кОм - горизонтальную. Эти две прямые определяют диапазон измерений осциллографа. Перед измерением резистор следует подключить к зажимам X и М. Один из крайних выводов и средний вывод переменного резистора (потенциометра) подключают к приставке. При повороте оси исследуемого переменного резистора наклон прямой на экране должен измениться. Нечеткое изображение линии на экране указывает на загрязнение подвижного контакта резистора.
Фоторезисторы подключают к зажимам X и М. Если входное отверстие фоторегулятора прикрыть, го на экране появится прямая, имеющая небольшой угол наклона. Если прибор осветить, появляется вертикальная прямая. Используя график на рис. 3.15, можно определить сопротивление прибора при освещении с различной интенсивностью. Так подбирают фоторезисторы g близкими характеристиками, а также калибруют фотоэкспонометры. Конденсаторы любого типа также присоединяют к зажимам X и М. Для исправных конденсаторов емкостью до 0,85 мкФ на экране появится эллипс с горизонтальной большой осью (рис. 3.14, м). При емкости, близкой к 0,85 мкФ, на экране получается круг, а при емкости, превышающей эту величину, снова эллипс, но с большой вертикальной осью. Измеряя отношение большой и малой осей эллипса, можно по графику рис. 3.16 найти приблизительно емкость конденсатора. Если большая ось эллипса наклонена, то это свидетельствует о слишком большом токе утечки конденсатора.

(рис.3.16) Измерение отношения большой и малой осей эллипса

Катушки и трансформаторы.
Выводы катушек, обмоток трансформаторов подключают к зажимам X и М приставки и наблюдают эллипс на экране осциллографа. При индуктивности катушки меньше 5 Г на экране получится эллипс, большая ось которого слегка наклонена относительно вертикали, при индуктивности 5 Г на экране будет круг, а выше 5 Г - эллипс, большая ось которого немного отклонена от горизонтальной оси. Естественно, что точность таких измерений невысока, так как на вид осциллограммы влияет не только индуктивность, но и емкость обмоток. Форма осциллограммы, отличающаяся от вышеописанной, указывает на короткое замыкание в катушке.
Имея катушки, индуктивность которых известна, измеряемую индуктивность можно определить сравнением.

Проверка электрических цепей.
Так как устройство позволяет оценивать очень малые значения сопротивления между зажимами X и М, то его можно использовать для проверки выключателей, электроламп, предохранителей, монтажных проводов и т. п.
При исследовании с помощью приставки полупроводниковых приборов не возникают опасные для них перегрузки, если, конечно, приняты все меры, чтобы избежать замыкания между обмотками трансформатора.

Усовершенствования.
Приставку можно использовать как низковольтный источник переменного тока, к примеру 6,3 В/1А. В этом случае в разрыв цепи, помеченный на схеме буквой А (рис. 3.13, а), надо включить предохранитель (1А). Если преобразовать первоначальную схему, как показано на рис. 3.17, получим простой омметр. Рекомендуется также установить гнезда для подключения лампового вольтметра.
Номиналы резисторов R1 ... R6 : 10; 100 Ом; 1; 10; 100 кОм и 1 МОм. Переменный резистор R7 служит для калибровки омметра.

(рис.3.17)  Характериограф омметр

Характериограф.
На рис. 3.18, а изображена схема приставки для наблюдения на экране осциллографа характеристик транзисторов. Переменный резистор R1 предназначен для регулировки тока базы. К экрану прикладывают лист кальки и обводят характеристику. Типичная характеристика коллекторного перехода показана на рис. 3.18,6. Вертикальная ось - ток коллектора, горизонтальная - напряжение коллектора. Наклон кривой определяет область насыщения. На горизонтальной части кривой выбирают рабочую точку для усилителя класса А. На рис. 3.18, в, кроме линии горизонтальной развертки (1), изображена характеристика обратного тока коллектора при токе базы в равном нулю (кривая 2), а также выходные характеристики при токах базы 0,2 ... 1 мА. Характеристики, полученные с помощью осциллографа, можно сравнить с приведенными в справочниках. Транзисторы, предназначенные для работы в двухтактных каскадах, должны иметь близкие параметры.
В нашем примере показан транзистор структуры п-р-п, включенной по схеме ОЭ. Так же можно исследовать я р-п-р транзистор, соответствующим образом подключив его к приставке (в схемах ОЭ, ОБ или ОК).

(рис.3.18)  Приставка для наблюдения характеристик транзисторов: а - принципиальная электрическая схема, для транзисторов р-п-р следует поменять полярность включения элементов в точках В и Д, б - основная характеристика; в - семейство характеристик.