Простейший полевой транзистор с управляющим р-n переходом представляет собой тонкую пластину полупроводникового материала (обычно кремния) с одним р-n переходом в центральной части и с омическими контактами по краям (рис. 4-1,а).

Действие этого прибора основано на зависимости толщины р-n перехода от приложенного к нему напряжения. Поскольку запирающий слой почти полностью лишен подвижных носителей заряда, его проводимость мала как у собственного полупроводника. Ограничивая с одной из боковых сторон токопроводящий канал (образуемый примесным полупроводником пластины), запирающий слой тем самым определяет величину сечения этого канала. В зависимости от типа проводимости полупроводника канал может быть n-типа, как на рис. 4-1, а или р-типа (при использовании кристалла с дырочной электропроводностью).

(рис. 4-1) Простейший полевой транзистор с управляющим р-n переходом и каналом n-типа (а), перекрытие токопроводящего канала при U_ЗИ ≠ U_ЗИотс (б), расширение р-n перехода и сужение сечения канала возле стока при протекании тока канала (е)

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12