Барьерная и диффузионная емкости n-p перехода
Барьерная емкость. Запирающий слой, расположенный между n- и р-областями, в котором находятся нескомпенсированные положительные и отрицательные ионы примеси, эквивалентен некоторой емкости. При изменении внешнего напряжения на ΔU происходит изменение толщины запирающего слоя и накапливаемого в нем заряда на величину ΔQкoн, что и проявляется (внешне) как емкость, получившая название барьерной: Сбар = ΔQкон/ΔU, Ф. Доказано, что для резкого р-n перехода барьерная емкость может быть определена по формуле емкости плоского конденсатора
Сбар = ε0εrSp-n/dp-n, (2-5)
где sp-n — площадь р-n перехода, м2, a dp-n — его толщина, м.
Барьерная емкость зависит от внешнего напряжения, так как с увеличением обратного напряжения dp-n увеличивается, а с увеличением прямого напряжения — уменьшается.
1 2





