с 1995                                                                  На главную    О компании   Продукция   Цены   Вопросы и ответы   Контакты   

 
     
   

 

 

 

 

 

 

ТРАНЗИСТОРЫ

РЕЗИСТОРЫ

ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ

ТИРИСТОРЫ

КОНДЕНСАТОРЫ

СВЕТОДИОДЫ

 

ДОСТАВКА

Для удобства своих клиентов мы предлагаем доставку нашей продукции в любой регион страны.

СКИДКИ

Одним из факторов нашей успешной работы является гибкая ценовая политика.

ДОКУМЕНТАЦИЯ

Любую документацию по продукции вы можете найти на нашем сайте.

НОВОСТИ

с 15 апреля 2011г. открылось представительство Завода "Энергодеталь" в г. Пермь ул.Куйбышева д.115а

 
   
по темам…

Барьерная и диффузионная емкости n-p перехода

Барьерная емкость. Запирающий слой, расположенный между n- и р-областями, в котором находятся нескомпенсированные положительные и отрицательные ионы примеси, эквивалентен некоторой емкости. При изменении внешнего напряжения на ΔU происходит изменение толщины запирающего слоя и накапливаемого в  нем заряда на величину ΔQкoн, что и проявляется (внешне) как емкость, получившая название барьерной: Сбар = ΔQкон/ΔU, Ф. Доказано, что для резкого р-n перехода барьерная емкость может быть определена по формуле емкости плоского конденсатора

Сбар = ε0εrSp-n/dp-n, (2-5)

где sp-n — площадь р-n перехода, м2, a dp-n — его толщина, м.

Барьерная емкость зависит от внешнего напряжения, так как с увеличением обратного напряжения dp-n увеличивается, а с увеличением прямого напряжения — уменьшается.

1 2

57 queries. 0.465 seconds.