Диффузионная емкость. При прямом напряжении происходит инжекция (введение, впрыскивание) дырок в n-область и электронов в р-область. Интектированные носители становятся в этих областях неосновными носителями и характеризуются некоторым значением времени жизни до наступления рекомбинации: для дырок τ_pn в n-области, для электронов τ_pn в р-области. При непрерывной инжекции концентрация этих неосновных носителей из-за происходящей рекомбинации убывает в направлении инжекции примерно по экспоненциальному закону (рис. 2-6, б). В тех местах полупроводника, в которых находятся не успевшие рекомбинировать инжектированные носители, равновесное состояние нарушается: р_рнn_рн > n²_i и n_nнр_nн > n²_i где р_pн, n_pн, n_nн, р_nн — неравновесные концентрации носителей заряда. Такое состояние полупроводника называется неравновесным.

Разности концентраций

n_nизб = n_nн = n_n, p_pизб = p_pн - p_p,

1 2 3 4 5 6