Электронно-дырочный переход (сокращенно р-n переход) представляет собой одну из разновидностей электрического перехода — слоя в полупроводнике, образующегося между двумя его областями с различными типами электропроводности, различными значениями удельной проводимости или различными материалами полупроводников с неодинаковой шириной запрещенной зоны. Электронно-дырочный переход образуется на границе двух полупроводниковых сред, обладающих различным типом электропроводностей, созданных в едином кристалле полупроводника. Следует иметь в виду, что р-n переход нельзя получить простым соприкосновением двух полупроводников с различным типом электропроводности, так как в месте соприкосновения неизбежны зазоры, загрязнения поверхностей и другие дефекты, нарушающие единую структуру кристаллической решетки.

На рис. 2-2, а условно показан кристалл с объединенными р- и n-областями и очень резким переходом от одного типа электропроводности к другому, называемым металлургической границей. Рассматривается несимметричный р-n переход, у которого N_a > N_d соответственно, Р_р > n_n (при N_a = N_d р-n переход называется симметричным).

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10