Полупроводниковый диод содержит обычно один электрический переход и имеет два вывода. Наиболее часто диоды создают на основе р-n переходов. В зависимости от формы р-n перехода различают плоскостные и точенные полупроводниковые диоды.

(pис.2-8) Структуры полупроводниковых диодов, изготовленных способом вплавления (а), диффузии (б), эпитаксиального наращивания слоев (в); структура точечного диода (г) и разрез маломощного плоскостного диода (д).

Плоскостной полупроводниковый диод можно получить различными способами. Наиболее широко используются способы вплавления, диффузии, выращивания и эпитаксиального наращивания. На рис. 2-8, а показано принципиальное устройство германиевого диода, изготовленного вплавлением (сплавной диод). Для изготовления сплавного диода в пластинку германия со слабо выраженной электронной электропроводностью вплавляется таблетка индия (галлия или бора). В процессе термической обработки таблетка и прилегающий к ней слой пластинки расплавляются и атомы индия проникают в расплавленный германий.

1 2 3 4