Для осуществления автоматической подстройки частоты гетеродина в его контур вводится специальный управляющий элемент, параметры которого меняются в зависимости от приложенного напряжения. В отечественных телевизорах для этой цепи используют плоскостные полупроводниковые диоды с управляемой емкостью перехода — варикапы.

При отсутствии внешнего напряжения такой диод эквивалентен конденсатору, обкладками которого служат области с высокой проводимостью (р и n), а диэлектриком — образовавшийся между ними слой с очень малой проводимостью. Емкость такого диода зависит от величины приложенного напряжения, которое вызывает изменение толщины р-n перехода. Если на р-n переход подается запирающее напряжение, то говорят о барьерной емкости, которая связана с образованием потенциального барьера между областями р и n. В этом случае обратный ток полупроводникового диода мал, и добротность барьерной емкости велика. При подключении варикапа к контуру гетеродина на нем наряду с напряжением смещения появляется высокочастотное напряжение. Для того чтобы р-n переход оставался в запертом состоянии, амплитуда напряжения высокой частоты должна быть много меньше напряжения смещения. При соблюдении этого условия емкость р-п перехода может быть определена, как

C_б = С_б0√Е_к/U_з + U_к,

1 2 3 4 5 6 7 8 9