Неуправляемый четырехслойный диод (диод - тиристор или динистор) получается соединением двух транзисторов структур п-р-п и р-п-р (рис. 2.7). Транзисторы должны иметь как можно меньший обратный ток коллектора и высокое рабочее напряжение. Лучше, если они будут кремниевыми, Резисторы R1 и R2 (одинакового сопротивления) ограничивают обратные токи коллекторов. Опытным путем подбирают величину сопротивления резистора R2 так, чтобы получить стабильное напряжение включения диода от 1 до 25 В.

(рис.2.7)  Аналог неуправляемого четырехслойного диода.