ДИФФУЗИОННАЯ ДЛИНА НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ПОЛУПРОВОДНИКА
расстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается вследствие рекомбинации в Е раз
ДИФФУЗИОННАЯ ДЛИНА (кр.ф.)
ГОСТ 22622-77





